一、请问大家如何减少变压器输出电压?
不管是线性电源还是开关电源,都不会只用一个变压器把市电变压后就直接送给用电器的,里面还有电压调整电路。
对于线性电源,通常用变压器将市电降压并整流滤波,再加入线性稳压器,将输出稳定在5V,稳压器输入端(变压后的电压)电压的变化只要在稳压器允许范围内,则输出5V是不变的。以前开关电源没有发展起来时,大都采用这种方式。缺点是体积大,很笨重。对于开关电源,你说的手机充电器内部都是采用开关电源电路,它不像线性电源需要先将市电变压后再处理,而是直接将市电整流滤波后通过斩波方式变成脉动直流,再加LC低通滤波电路配合反馈电路将输出稳定在5V。
因为少了前端的降压变压器,所以体积可以做得较小。
二、减少变压器初级绕组输出电压是否改变?
因为自耦变压器不能隔离初级侧的高电压。
变压器可以共铁芯共绕组,这种就是自耦变压器,通过改变工作绕组的匝数来改变电压,但有个缺点就是初次级线圈无隔离初级线圈也是次级线圈,在无负载时次级侧某一抽头相对于零线的电压可能和初级侧输入电压一样,不安全。
变压器共铁芯初次级分立绕组,这种就是常规的变压器,制作完成之后就不好改变匝数了,好处是初次级线圈是隔离的,次级不会出现高压侧的高压。
三、变压器输出电压波动?
如果输入正常,输出不稳,说明变压器本身没有问题,如果变压器次级绕组有问题,输入也就无法正常。所以,典型的故障原因应该是: 1、从变压器次级出线接点至用电终端有接触不良的接点。
2、稳压电路故障,有元器件尤其是稳压管可能出现故障了。
四、变压器输出电压不稳?
首先我们先从内部因素分析,变频器负载处有大功率电器启动造成电压瞬间下降,等到大功率电动机启动完毕电压恢复正常,这是最长见的原因。
外部因素分析,一次高压线路有多台变压器使用而压降明显的通常都是接近高压用电末端,当前端几台变压器用电量增大适必会影响到末端的几台变压器电压,所以变压器电压忽高忽低基本上都是由于用电量增大而导致的,所以不必太在意,调整好企业内部用电继电保护即可。
五、变压器输出电压调节?
朋友,变压器分接开关(或者说档位)的调节,可以改变变压器二次输出电压的大小。一般分接开关位于变压器的上边,是用于改变变压器一次绕组抽头,借以改变变压比,调整二次电压的专用开关,变压器分接开关分为有载调压和无载调压两种,有Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三档位置,0kV变压器三档位置相应的变压比分别为10.5/0.4、10/0.4、9.5/0.4,同时调节档位后一定要检查测量档位开关的接触电阻(也就是直流电阻),否则调节不好会造成变压器烧毁。由于你的变压器输入电源电压高,可以选择Ⅰ档(10.5/0.4)来达到需要。
六、变压器输出电压正常范围?
变压器输入电压一般为10kv,输出电压为0.4KV。
变压器是利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置,主要构件是初级线圈、次级线圈和铁心 (磁芯)。在电器设备和无线电路中,常用作升降电压、匹配阻抗、安全隔离等。在发电机中,不管是线圈运动通过磁场或磁场运动通过固定线圈,均能在线圈中感应电势。此两种情况,磁通的值均不变,但与线圈相交链的磁通数量却有变动,这是互感应的原理。变压器就是一种利用电磁互感应变换电压、电流和阻抗的器件。
七、变压器输出电压是多少?
1、变压器的满载电压比额定输出电压低多少,这个没有一定的比例,通常二者是相同的。2、空载电压又和额定输出电压是什么关系:一般额定输出电压为空载均值电压的1.1倍,这样可以在一定的铁芯和线圈条件下得到最大的输出功率,又不至于温升过高。以上是指变压器用于降压后整流滤波得到低压直流电的情况。不适用于电力设备拖动的条件。
八、变压器怎么测输出电压?
用万用表选择适当的交流档,用两表笔测变压器输出端(不分正负),显示的数字就是你要测的电压。多绕组测 量相同。
如某绕组是3线(双输出),1表笔接触中间那线不动,另1表笔分别对左右两根进行测 量,所得的读数就是输出电压。
九、变压器输出电压突然下降?
1)从空载转入负载运行时,因为内阻分压的问题,会引起输出电压的下降,而且随着运行时间的增加,变压器温度上升,内阻值增大,压降也会增加。2)内阻压降是rI,随着负载电流的增加,压降是增大的,与输出功率的大小也是有关系的。3)看你是什么负载了,如果是感性负载,容性负载等一些非线性负载的话,其输出功率可能是不变的,但是,非线性负载会引起变压器副边的异常损耗,内阻压降增加。(副边实际电流要大于输出电流,有一部分是涡流的)
十、pwm控制变压器输出电压?
可以用单片机的PWM信号控制mos管的开通和关断,然后mos管后端接负载。
一个MOS管,PWM的占空比变化(比如从50到100%),MOS管输出电压(比如100V)会变化(在这样的情形下,比如在纯阻性负载上,其峰值电压还是100V,平均值为50V)。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。