反激MOS管漏极VDS电压波形振荡正常吗？

一、反激MOS管漏极VDS电压波形振荡正常吗？

没懂你的意思，本来VDS之间在正常时就有振荡波形存在。

二、电脑主板mos管都有波形吗？

都有波形

高低电平清晰，此时电平可以称为电平，因为它是平的。边缘陡峭，开关速度快，损耗小，冲击小，可以接受，管道不能进入线性区域，强迫症可适当调整栅极电阻。

三、MOS管驱动波形这样该怎么解决？

这个问题不太好解决，换一个内阻比较小的开关管应该会好一些。但如果成本压力比较大，可以在开关管驱动电路上电阻上加一个反向的开关二极管。应该也会好一点。

四、问单管正激和双管正激的区别？

单管正激和双管正激是指在放大器电路中使用的两种不同类型的功率管。它们的区别如下：

1. 单管正激：单管正激是指在功率放大器电路中只使用一个功率管进行放大和调制的方式。它的特点是结构简单、成本低廉，适用于一些对输出功率要求不高的应用场景。单管正激的输出功率相对较小，功率效率较低，且容易出现失真现象。因此，它在需要高输出功率和较低失真的应用中，通常不被采用。

2. 双管正激：双管正激是指在功率放大器电路中使用两个功率管进行放大和调制的方式。它的特点是输出功率较大，功率效率相对较高，且失真程度较低。双管正激通过合理地分工合作，可以实现较高的线性度和功率效率，并且能够满足一些对功率和音质要求较高的应用场景，例如音响放大器、无线电通信等领域。

总结来说，单管正激适用于一些对输出功率要求不高的应用场景，结构简单、成本低廉；而双管正激适用于对输出功率和音质要求较高的应用场景，能够提供较大的功率输出、较高的功率效率和较低的失真程度。选择使用单管正激还是双管正激应根据具体应用需求进行考虑。

五、双管正激电源和单管正激电源哪种好？

没有那种好一说。前者提供的功率大，后者的功率小。

单管正激是用一个开关管于变压器原边串联，开关管承受的电压应力是两倍输入电压，需要专门的磁复位电路。

（在稍高瓦数的单管正激电源上，可以看到两个开关管并联取代单个开关管，但是电路结构和双管正激还是有明显区别的） 双管正激是用两个开关管与变压器原边串联，相比单管正激而言，每个开关管承受的电压应力减半（因而可以使用耐压较低的mos管），且磁复位方式简单，最常用的是两个箝位二极管。

六、mos管驱动变压器如何选择？

　　mos管变压器驱动搞定方案的优点是延迟非常低，可以在很高的压差下工作。缺点是需要很多的元件并且对变压器的运行有比较深入的认识。初次级不少于20T，使初次级信号很好的耦合。高频信号选择铁氧体带气隙的磁芯，避免饱和。

　　必须在源边电路加隔直电容，起到的作用是提供重新启动电压，如果没有该电容，变压器的磁化电压和占空比相关，变压器磁性可能饱和。

七、反激式与正激式变压器做法相同？

开关电源的正激式与反激式的区别如下：

1、正激式开关电源是指使用正激高频变压器隔离耦合能量的开关电源，与之对应的有反激式开关电源。正激具体所指当开关管接通时，输出变压器充当介质直接耦合磁场能量，电能转化为磁能，磁能又转化为电能，输入输出同时进行。

2、“反激”(FLY BACK)具体所指当开关管接通时，输出变压器充当电感，电能转化为磁能，此时输出回路无电流；相反，当开关管关断时，输出变压器释放能量， 磁能转化为电能，输出回路中有电流。

二、优点不同正激式开关电源优点： 功率比反激式开关电源大，输出变压器利用率高，适用于100W－300W的开关电源。反击式开关电源优点：元器件少，电路简单，成本低，体积小，可同时输出多路互相隔离的电压。

三、缺点不同正激式开关电源缺点：需要增加反电动势绕组，或拓补驱动，次级多加1个整流电感，成本高。反激式开关电源缺点：开关管承受电压高，输出变压器利用率低，不适合作大功率电源 EMI比较大。

八、mos管驱动变压器绕制方法？

MOS管驱动器变压器的绕组越接近磁心表面漏感越小，绕组匝数越少，越容易作到这点；另外磁心的电感系数越高、磁导率越高，导磁能力越好，漏感越小。所以大多驱动变压器、网络变压器都用高导材料来做。

另外在一个变压器中分布电容和漏感是两个矛盾的参数，但是通过绕制方法可以折中处理。对于上升沿的时间和下降沿的时间，磁心材料尤其是绕制工艺是非常关键的。

九、MOS管GS端并联电阻后驱动波形是什么样子？

没有变化的,或者说变化不大.G-S并电阻是为了保护MOS,从线路原理上说是不用加的,但实际的经验是要加的,一般是10K-56K,10K用得最多

十、mos管与变压器吸收电路是什么作用？

MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管，有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗。这是一种简单好用，接近理想的电压控制电流源电晶体

它具以下特点:开关速度快、高频率性能好，输入阻抗高、驱动功率小、热稳定

性优良、无二次击穿问题、全工作区宽、工作线性度高等等，其最重要的优点

就是能够减少体积大小与重量，提供给设计者一种高速度、高功率、高电压、

与高增益的元件。在各類中小功率开关电路中应用极为广泛。

MOS又分为兩种，一种为耗尽型（Depletion MOS），另一种为增强型

（Enhancement MOS）。这兩种型态的结构没有太大的差異，只是耗尽型MOS一

开始在Drain-Source的通道上就有载子，所以即使在VGS为零的情况下，耗尽型

MOS仍可以导通的。而增强型MOS则必须在其VGS大於某一特定值才能导通。