电阻的寄生电容？

一、电阻的寄生电容？

电容的实际模型应该是一个电容，一个电感，一个电阻的串联，这个电感和电阻就是寄生电感ESL和电阻ESR，是实际存在的，不论多好的生产工艺都不能去除。其实很好理解，任何物体的两点间都会有电阻、电感和电容，其值不会是无穷大，也不会是0，是必然存在的。

寄生电阻是随信号频率变化的，而且不是一个方向的变化，随频率升高先升后降又升。温度对其也有影响。

我理解寄生电感是不随频率变化的。硬之城有这个型号的 可以去看看有这方面的资料么

二、什么是寄生电容？

寄生电容是一种不可避免且通常不需要的电容，它存在于电子元件或电路的各个部分之间，仅仅是因为它们彼此靠近。当两个电压不同的电导体靠在一起时，它们之间的电场会使电荷储存在它们上面；这种效应就是电容。

所有实际电路元件如电感器、二极管和晶体管都有内部电容，这会导致它们的行为偏离理想电路元件的行为。此外，任何两个导体之间总是存在非零电容；这对于间隔很近的导体（例如电线或印刷电路板走线）可能很重要。电感器或其他绕线组件的匝之间的寄生电容通常被描述为自电容。然而，在电磁学中，术语自电容更正确地指的是一种不同的现象：一个导电物体的电容，而不参考另一个物体。

三、寄生电容怎么测？

寄生电容的测量可以通过两种方法完成：一种是使用电容表来测量，另一种是使用频谱分析仪来测量。电容表可以测量出寄生电容的容量，而频谱分析仪可以测量出寄生电容的电容和电感。两者都需要使用专门的测量仪器来完成，不能使用普通的万用表来测量。

四、mos管寄生电容多大？

这问题问的？

MOS管是一个系列，功率从小到大很多品种，寄生电容各不相同。好比你问：一条船有多长？

小舢板也许只有3米长，大油轮也许300米都不止。怎么回答？

万能答案：你将MOS管的具体型号提供出来，查生产厂家的规格书，一目了然。 一般都是PF级，具体还是要查器件手册

五、PCB怎么减少寄生电容？

可以减少 PCB 布局中的寄生电容的措施：

1、避免平行布线

采用平行布线时，金属之间的面积最大，寄生电容也会最大。

2、移除电源层

电源层通常被认为是交流接地，与接地层完全相同，所以移除电源层与移除导体附近的接地层一样重要。

3、使用法拉第屏蔽或保护环

将法拉第屏蔽放置在两条迹线之间以最大程度地减少寄生电容效应。

4、关键走线尽可能窄和短

为了最大限度地减少寄生电容，使关键走线尽可能窄，以使 PCB 工艺可以处理，与附近的走线保持良好的距离。

5、避免过度使用过孔

过孔的过度使用会增加寄生电容，最好尽可能用贴片来代替过孔。

6、避免元件分离

元件之间、电源层和接地层，输出和输入等的正确接线，对减少不需要的寄生电容非常重要。

7、信号层应夹在两个接地层之间或一个接地层或电源层之间

例如：在4层板中，可以将电源层放在底层，并在电源层和接地层之间布线一些敏感走线，这可以防止来自一层中的信号的 EMI 在另一层中的信号中引起噪声。

8、确定合适的层厚

较薄的层会减小环路面积和寄生电感，但会增加寄生电容。

9、信号完整性

阻抗降低，通常是由于布局中靠近接地铜线

由于互连和驱动器/接收器组件之间的阻抗不匹配导致更高的回波损耗

高通滤波行为导致更高的插入损耗

六、mos管寄生电容怎么消除？

在 MOS 管中，寄生电容是指在 MOS 管的栅极、漏极和源极之间存在的电容，其会导致 MOS 管在高频时产生不良影响，例如降低放大器的增益等。消除 MOS 管寄生电容的方法包括：

1. 选择合适的 MOS 管：选择低寄生电容的 MOS 管是消除寄生电容的一种方法。例如，在一些高频应用中，可以使用 GaAs 或 InP 材料的 MOS 管，这些材料通常具有低的寄生电容。

2. 采用电感元件：在 MOS 管源极和漏极之间加入电感元件，可以抑制寄生电容的影响。这种方法需要选用合适的电感元件，例如，微型线圈或电感器。

3. 加入负反馈：负反馈是消除寄生电容的有效方法之一，它可以抵消 MOS 管中的寄生电容对电路性能的影响。可以通过在电路中加入合适的负反馈来消除寄生电容的影响。

4. 优化布局：在设计 MOS 管电路时，合理的布局也可以帮助消除寄生电容的影响。例如，可以将 MOS 管的源极和漏极靠近一些接地面，并且尽量减少栅极周围的电路元件。

需要注意的是，不同的应用场合需要采用不同的消除寄生电容的方法。如果您对此方面不熟悉，建议咨询专业人士的意见。

七、mos管寄生电容有好处还是坏处？

mos管寄生电容各有好处：

　　寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容，又称杂散电容。

　　寄生电容本身不是电容，根据电容的原理我们可以知道，电容是由两个极板和绝缘介质构成的，那么寄生电容是无法避免的。比如一个电路有很多电线，电线与电线之间形成的电容叫做寄生电容。寄生电容一般在高频电路中会对电路造成很大影响，所以电路在布线的时候要特殊考虑。

　　寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值，电感值。

八、寄生电容对高频信号的影响？

寄生电容是指在电路中存在的非意图引入的电容。它可以对高频信号的传输产生一定的影响，主要表现在以下几个方面：

阻抗影响：寄生电容对高频信号的传输有一定的阻抗。随着频率的增加，寄生电容的阻抗会逐渐减小，导致对高频信号的传输产生一定的阻碍。这会导致信号的衰减和失真。

相位影响：寄生电容对高频信号的相位也会产生影响。随着频率的增加，寄生电容的相位会逐渐落后，导致对高频信号的相位产生一定的延迟。这可能会导致信号的相位失真和时序问题。

耦合影响：寄生电容可能会导致不同信号之间的耦合效应。在高频电路中，如果存在寄生电容，不同信号之间可能会发生相互干扰和交叉耦合，导致信号的混叠和干扰。

因此，在设计高频电路时，需要考虑寄生电容对信号传输的影响，并采取相应的措施来减小其影响，例如合理布局电路、选择合适的元件和降低电路的工作频率等。

九、mos管寄生电容有哪几种？

晶体管寄生电容分为：结电容（势垒电容和扩散电容）、源漏和栅的交迭电容、栅电容

十、igbt三大寄生电容是怎来的？

是米勒效应产生机制。

　　在IGBT开关时，有一个会经常遇到的问题，那就是由于寄生米勒电容开通而产生米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这里存在着潜在的风险。寄生米勒电容引起的导通。