什么是导通压降？

一、什么是导通压降？

二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。

正向特性

在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。

反向特性

在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿

二、导通压降和导通电压？

1.

导通压降:二极管开始导通时对应的电压。 正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。

2.

反向特性:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后,二极管反向击穿。

三、发光二极管导通压降

发光二极管导通压降的关键概念

发光二极管是一种常见的电子元件，其核心部分是一个PN结构，当电流通过发光二极管时，它会发出可见光。发光二极管在许多领域都有广泛的应用，如照明、显示、传感器等。而要正确使用发光二极管，了解其导通压降是非常重要的。

发光二极管导通压降的影响因素

发光二极管的导通压降受到多种因素的影响，包括但不限于材料类型、温度、电流密度等。发光二极管的材料是决定其导通压降的关键因素，不同材料组成的发光二极管会有不同的导通压降。此外，温度也会影响发光二极管的导通压降，随着温度的升高，导通压降也会随之增加。因此，在实际应用中，我们需要根据具体的使用环境和条件来选择合适的发光二极管，并合理控制电流密度和工作环境温度。

如何计算发光二极管导通压降

发光二极管的导通压降可以通过专门的电子测量设备进行测量，也可以通过计算得到。对于已知材料的发光二极管，其导通压降可以根据材料特性通过公式进行计算。一般而言，发光二极管的导通压降是一个固定值，但在实际应用中，由于受到温度、电流密度等因素的影响，其实际值可能会有所偏差。因此，在选择和使用发光二极管时，我们需要根据具体的应用场景和条件进行选择和计算。

发光二极管导通压降的应用意义

发光二极管导通压降对于发光二极管的使用和性能评估具有重要意义。通过了解发光二极管的导通压降，我们可以更好地控制其工作电流，优化其工作条件，从而提高发光二极管的稳定性和可靠性。此外，发光二极管导通压降也是衡量发光二极管性能指标的重要参数之一，其值的大小直接影响发光二极管的亮度和寿命。

四、发光二极管的导通压降

发光二极管的导通压降

发光二极管是一种常见的电子元件，它在许多电子设备中都有应用。导通压降是发光二极管的一个重要参数，它指的是当发光二极管导通时，两端所需的电压值。这个电压值对于了解发光二极管的工作原理和选择合适的电源电压非常重要。

发光二极管的导通压降因型号和材料而异。常见的发光二极管导通压降在1.5-2.5V之间。在实际应用中，我们需要根据发光二极管的型号和所需的工作电流来选择合适的电源电压，以确保发光二极管能够正常工作。如果选择的电源电压过低，发光二极管可能无法正常发光；而如果选择的电源电压过高，可能会损坏发光二极管。

发光二极管的工作原理是当电流通过时，它两端会产生电压差，使得光线能够从一端发射出来。导通压降为发光二极管提供了必要的能量，使其能够正常工作。因此，了解发光二极管的导通压降对于正确使用和保护这个元件非常重要。

在电子设备的开发中，发光二极管的应用非常广泛。它可以作为指示灯、显示数字、颜色变化等来传递信息。同时，发光二极管还可以与其他电子元件配合使用，组成各种复杂的功能和电路。因此，发光二极管在电子设备中扮演着重要的角色。

总之，发光二极管的导通压降是了解其工作原理和选择合适电源电压的关键参数。在应用发光二极管时，我们需要根据其型号和材料选择合适的电源电压，并注意保护这个重要的电子元件。

五、igbt导通压降多少正常？

igbt的导通压降是很小的,一般均可以忽略不计,通常小容量的igbt导通压降都在1伏以内,约0.3-0.7伏.而大容量的igbt会略大一些,但也不是很大,一般在1-3伏之间.如果igbt的导通压降过大,那么这个igbt或许已经损坏了,至少是性能大幅下降了,建议还是趁早进行更换.

六、IGBT导通压降怎么测？

接上电源以及负载，用万用表测量输入输出两端电压

七、晶闸管，导通压降是多少？

晶闸管的通态压降即导通状态，通过额定电流时，A，K之间的电压。 VCEsat 一般2-4V。（同样的管子集电极电流越大VCEsat越大，同样的管子驱动电压越高VCEsat越小）。 不同规格的、不同晶闸管的IGBT通态压降VCEsat都不一样而且它还与温度、IC电流、门极电压有关系，你用晶闸管的型号去产家官网下个数据手册，里面会给出这个参数而且还有VCEsat与温度、IC电流、门极电压的关系图。

八、光耦导通压降是多少？

1. 光耦导通压降一般在1-2V之间。2. 光耦是一种光电转换器件，其内部由光电二极管和发光二极管组成，当发光二极管发出光线照射到光电二极管上时，会产生电流。而光耦导通压降是指在光耦工作时，光电二极管的导通电压与发光二极管的工作电压之差。3. 光耦广泛应用于电气控制、通信、医疗等领域，具有隔离、抗干扰等优点，因此对于光耦导通压降的研究和掌握，有助于提高光耦的性能和应用效果。

九、二极管的导通压降？

硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。

十、可控硅导通压降有多大？

理论上来说是：硅管为0.7V，锗管为0.3V 具体情况可以参照二极管的资料来看

可控硅的主要参数如下：

1） 转折电压

　　在控制极开路和正向阻断的情况下，当阳极电压增大到一定程度，可控硅也能导通，曲线突然从A段跳过虚线B段进入曲线C段，此时C段曲线形状类似普通晶体二极管的正向特性。我们把这个导通电压称为可控硅的转折电压UBO。可控硅导通后，阳极电压(管压降)很快跌落下来，大约1V左右，而大部分电压降在了负载上。在实际使用中正向电压大大低于转折电压UBO，否则很容易击穿损坏可控。

2）断态不重复峰值电压UDSM

　　在控制极开路和定向阻断时，曲线A段弯曲点的电压叫做断态不重复电压。使用中不能接近更不能超过此电压。

 

3）断态置复(正向阻断)峰值电压UDRM

　　指在控制极开路和正向阻断的不致使可控硅正向击穿导通的电压，也即可以重复加在可控硅上的安全峰值电压。规定这个电压为断态不重复峰值电压UDSM的80%。断态重复峰值电压也称为正向阻断峰值电压、正向电压或耐压值。如可控硅3CT5的UDRM=30~3000V。

4）反向重复峰值电压

　　指在控制极开路时不致使可控硅反向击穿导通的电压，也即可以重复加在可控硅上的安全峰值电压。规定这个电压为反向不重复峰值电压URSM的80%。反向重复峰值电压也称为反向峰值电压或反向电压。如可控硅3CT5的UDRM=30~3000V。

５）额定正向平均电流IF

　　是在环境温度为+40℃时，可控硅导通可连续通过50Hz正弦半波电流的平均值，即正常工作电流(也称通态平均电流)，通常所讲的10A、20A的可控硅元件，就是指它的额定正向平均电流为10A、20A，比如3CT5的IF＝5A。

６）正向平均压降UF

　　指可控硅通过额定正向平均电流时在阳极与阴极之间电压降的平均值。正向平均电压也称通态平均电压、正向压降或管压降。—般可控硅的正向压降在1V左右，如3CT5的UF=1.2V

７）维持电流IH

　　指在控制极断开后，可控硅保持导通状态所必须的最小正向电流，一般为几十到一百多毫安，小功率可控硅IH较小，大中功率可控硅IH较大。如3CT5的IH在40mA左右。

８）控制极触发电压VG

　　指可控硅从阻断变为导通状态时控制极上所加的最小直流电压(也称触发电压)，小功率可控硅的触发电压—般为1~1.5V,大中功率可控硅的触发电压为几到十几伏。如3CT5的VG在3.5v左右。

9）控制极触发电流IG

 　　指在阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的最小控制极直流电流(也称触发电流)，小功率可控硅的触发电流为几百微安到几毫安，大中功率可控硅的触发电流为几十到几百毫安。如3CT5在50mA左右。