npn 和pnp区别？

一、npn 和pnp区别？

1、二者构成不同：

（1）PNP型三极管是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管；

（2）NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。

2、二者PN结的方向不同：

（1）PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；

（2）NPN则刚好于此相反。

3、二者电源极性不同。

二、NPN和PNP的区别？

您好，NPN和PNP是两种常见的晶体管类型。它们的主要区别在于电子和空穴的流动方向。

NPN晶体管是由两个N型半导体材料夹着一个P型半导体材料组成的三极管。在NPN晶体管中，电流主要由电子流动，从N型材料的发射极流入P型材料的基极，再从N型材料的集电极流出。NPN晶体管常用于放大和开关电路。

PNP晶体管则是由两个P型半导体材料夹着一个N型半导体材料组成的三极管。在PNP晶体管中，电流主要由空穴流动，从P型材料的发射极流入N型材料的基极，再从P型材料的集电极流出。PNP晶体管也常用于放大和开关电路。

总的来说，NPN和PNP晶体管在电路中的应用是类似的，但它们的基极、发射极和集电极之间的电流流动方向是相反的。

三、npn和pnp怎么区别？

NPN和PNP是两种基本的晶体管结构，它们的主要区别在于控制信号的极性和电流流动方向。

NPN晶体管具有以下三个区域：N型半导体、P型半导体和N型半导体。通常，N型半导体作为基极，P型半导体作为集电极，而另一个N型半导体则作为发射极。当一个正电压输入到晶体管的基极时，电子就会流入N型半导体中，这样就形成了基极电流。然后，这些电子穿过P型半导体并流入另一个N型半导体中，从而形成了集电极电流。简而言之，NPN晶体管通过输入正极性控制信号（基极电流）来控制正极性电流（集电极电流）。

相比之下，PNP晶体管则有相反的极性和电流流动方向。PNP晶体管的结构与NPN晶体管类似，但由P型半导体、N型半导体和P型半导体组成。PNP晶体管的集电极电流是从P型半导体流出，进入N型半导体，然后穿过另一个P型半导体流回电路中。当一个负电压输入到晶体管的基极时，电子将从P型半导体流入基极，并从N型半导体中穿过到另一个P型半导体中。

因此，NPN和PNP晶体管之间的主要差别在于它们的极性和电流流动方向，这也意味着它们的使用方式和应用场景有所不同。

四、pnp和npn应用的区别？

电流方向、电压不同。1、电流方向 NPN是用B—E的电流，控制C—E的电流，E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC大于VB大于VE。

PNP是用E—B的电流，控制E—C的电流，E极电位最高，正常放大时通常C极电位最低，即VC小于VB小于VE。

2、电压 NPN基极高电压，PNP基极高电压。

五、npn和pnp的接线区别？

NPN型传感器一般具有三个输出引脚，分别是电源正、电源负和信号线。在和PLC连接时，将电源正接PLC的24V，电源负接COM，而信号线则和PLC的数字输入口DI连接，并在该口上接上拉电阻。

以PNP常开为例，没有遮挡时，三极管基极为高电平，三极管不通，PLC检测到低电平；有信号遮挡时，三极管基极为低电平，三极管导通，输出高电平。

NPN以常开为例，在没有信号遮挡时，基极是低电平，三极管不通，输出高电平；在有信号遮挡时，基极是高电平，三极管导通，输出低电平。

六、pnp和npn输出的区别？

pnp和npn区别是：1、输出元器件不同；2、输出信号不同；3、电阻接法不同。对于NPN而言，当障碍物靠近时，PLC检测到低电平；而PNP型接近开关，当障碍物靠近时，PLC检测到高电平。

PNP型表示信号输出端输出的是高电平输出，信号端与正极之间连接的是其内部开关；NPN型表示信号输出端输出的是低电平输出，信号端与负极之间连接的是其内部开关。

电压区别：

NPN基极电压高，集电极与发射极短路。低压，集电极和发射极开路。

PNP基极电压很高。集电极对发射极开放，也就是说，它不起作用。如果将基极施加到低电位，则集电极和发射极会短路。

（1）PNP管是发射极，从基极和集电极流出，而NPN管是基极和集电极，并从发射极流出。

（2）PNP管在放大区工作时的电压为Ue > Ub > Uc，NPN管在放大区工作时的电压Uc > Ub > Ue。

（3）PNP为共阴极，即以两个PN结的N结为基极，其余两个P结分别为集电极和发射极。电路图标记为向内晶体管。NPN相反。

（4）PNP管子：发射极电流＝集电极电流＋基极电流

（5）NPN管子：集电极电流＝发射极电流＋基极电流

七、npn和pnp和mos区别？

NP区别PNP和MOS的主要区别如下：

1. 构造不同：PNP和NPN是晶体管的两种基本类型，它们的构造不同。PNP晶体管由两个N型半导体夹一个P型半导体构成，而NPN晶体管则由两个P型半导体夹一个N型半导体构成。而MOS是金属氧化物半导体场效应管，它由金属栅极、氧化物和半导体基底构成。

2. 工作原理不同：PNP和NPN晶体管的工作原理基于PN结，即正负电荷在PN结处结合，形成基区。当PNP晶体管的基极接收到电流时，电子从基区进入发射区，从而形成电流放大。而NPN晶体管则是反过来的，当基极接收到电流时，空穴从基区进入发射区，从而形成电流放大。MOS则是利用栅极电压控制半导体中的电子浓度，从而控制电流。

3. 适用场合不同：PNP和NPN晶体管广泛应用于电子电路中的信号放大和开关控制，如放大器、开关、计时器和振荡器等。而MOS主要应用于数字电路中，如微处理器、存储器和数字信号处理器等。

4. 控制方式不同：PNP和NPN晶体管是通过电流控制来控制电路的，而MOS则是通过电压控制来控制电路的。MOS的电压控制方式使其功耗更低，速度更快，因此在数字电路中得到广泛应用。

综上所述，PNP、NPN和MOS的区别主要在于构造、工作原理、适用场合和控制方式等方面。

八、npn和pnp的判断口诀

在电子电路设计中，NPN和PNP是常用的晶体管类型。在正确判断晶体管类型的情况下，才能正确地设计电路。因此，本文将介绍如何正确判断晶体管类型的方法和口诀。

NPN晶体管

NPN晶体管是一种三极管，其名称代表了晶体管的材料。其中，N代表了材料中的杂质是负性电子，P代表了材料中的杂质是正性空穴。在NPN晶体管中，P型基极被夹在两个N型发射极和集电极之间。当正向偏置时，基极和发射极之间的PN结会被击穿，电流从发射极流向集电极。

判断一个三极管是否为NPN型，可以使用以下的口诀：

• B点偏向E，C点偏向B，这是NPN的特征。

其中，B点是基极，E点是发射极，C点是集电极。如果测试结果符合这个口诀，那么这个三极管就是NPN型。

PNP晶体管

PNP晶体管是另一种常见的三极管类型。与NPN晶体管不同的是，PNP晶体管中的杂质类型是相反的。其中，P代表了材料中的杂质是正性空穴，N代表了材料中的杂质是负性电子。在PNP晶体管中，N型基极被夹在两个P型发射极和集电极之间。当反向偏置时，基极和发射极之间的PN结会被击穿，电流从集电极流向发射极。

判断一个三极管是否为PNP型，可以使用以下的口诀：

• B点偏向E，C点偏向B，这是PNP的特征。

同样地，B点是基极，E点是发射极，C点是集电极。如果测试结果符合这个口诀，那么这个三极管就是PNP型。

总结

在电子电路设计中，正确判断晶体管类型是非常重要的。NPN和PNP晶体管虽然材料和结构不同，但是都有明显的特征，只要掌握了正确的判断方法和口诀，就能够轻松地判断晶体管类型。希望本文能够对大家有所帮助。

九、plc的pnp和npn的区别？

PNP和NPN是指PLC（可编程逻辑控制器）中的两种数字输入/输出（Digital Input/Output）电路类型。它们的区别如下：

1. 极性：PNP（Positive-Negative-Positive）是以正电源为基准，输出信号为高电平（通常为24V），输入信号为低电平（通常为0V），而NPN（Negative-Positive-Negative）则是以负电源为基准，输出信号为低电平，输入信号为高电平。

2. 输出电路：PNP输出电路是开漏输出，当输出为高电平时，输出端与正电源断开；当输出为低电平时，输出端与负电源相连。NPN输出电路也是开漏输出，但与PNP相反，当输出为高电平时，输出端与负电源相连；当输出为低电平时，输出端与正电源断开。

3. 输入电路：PNP输入电路为活动开关，当输入端接收到正电压时，开关关闭；当输入端接收到低电平或断开时，开关打开。NPN输入电路也是活动开关，但与PNP相反，当输入端接收到负电压或接地信号时，开关关闭；当输入端接收到高电平或断开时，开关打开。

在实际应用中，选择PNP还是NPN取决于所连接的设备或传感器的特性和工作电压。需要注意的是，PLC的输入/输出模块必须与所连接的设备或传感器的类型（PNP或NPN）相匹配，否则无法正常工作。

十、NPN与PNP区别？

1、二者构成不同

（1）PNP型三极管是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管；

（1）NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。

2、二者PN结的方向不同

（1）PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；

（1）NPN则刚好于此相反。

3、二者电源极性不同