双极性晶体管参数？

一、双极性晶体管参数？

双极型晶体管极限参数:

★最大集电极耗散功率 。

★最大集电极电流 :使b下降到正常值的1/2～2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。

★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降

二、绝缘栅双极性晶体管怎么检测好坏？

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。

三、工作在放大状态的双极性晶体管是？

是电流控制器件，原因就是由于双极型晶体管是利用载流子数量不同来实现放大的，简单的说就是在双极型晶体管中由于参杂有大量的载流子，所以大量的载流子出现使得电流实现了放大，因此属于电流控制器件。电压控制元件是单极型的晶体管，即场效应管。

四、Rx/Tx属于双极性天线吗？

这个好像不是天线的名词，应该是通讯中接收和发送的意思。比如RS232/485/422通讯中，RS232最基本的为三线通讯，一个发送线（Tx），一个接收线（Rx），一个公共线（参考地 GND）；RS422为四线通讯，发送正（TX+），发送负（TX-），接收正（RX+），接收负（RX-）；RS485为二线通讯，信号+（Rx/Tx+ 或 D+），信号-（Rx/Tx- 或 D-）。

五、三极管属于单极性还是双极性？

三极管属于双极性晶体管。半导体导电的一个特点就是有两种载流子，即电子和空穴参与导电。半导体电流=电子电流+空穴电流。在常用的pnp和npn这两种三极管中，两种载流子都是在参与导电的 ，称为双极性晶体管，而被称为场效应管的晶体管就以一种载流子为主参与导电，就为单极性晶体管。

六、电流法判断晶体管极性？

晶体管的两端加上电压，如果电路中有电流流过，则确定加正电压的那端是正极，若无电流，则晶体管的极性与电压极性相反。

七、电力二极管是双极性器件？

是的

双极性器件是由两种类型的载流子（自由电子与空穴）进行工作的器件叫双极型器件。

二极管中，P区多子（空穴）浓度高于N区，所以P区空穴向N区扩散，P区空穴扩散到N区与N区的电子中和，在P区留下不可移动的负离子，同理N区也留下不可移动的正离子。N区正离子与P区负离子之间有电势差，叫做势磊。电场的方向是N区指向P区的，阻碍多子的扩散，却有利于少子的运动，少子的运动叫做漂移，飘逸与扩散都产生电流。

所以，二极管的特性与双极性相符，属于双极性器件

八、二极管是双极性器件吗？

二极管是双极性器件

双极性器件是由两种类型的载流子（自由电子与空穴）进行工作的器件叫双极型器件。

二极管中，P区多子（空穴）浓度高于N区，所以P区空穴向N区扩散，P区空穴扩散到N区与N区的电子中和，在P区留下不可移动的负离子，同理N区也留下不可移动的正离子。N区正离子与P区负离子之间有电势差，叫做势磊。电场的方向是N区指向P区的，阻碍多子的扩散，却有利于少子的运动，少子的运动叫做漂移，飘逸与扩散都产生电流。

所以，二极管的特性与双极性相符，属于双极性器件

九、为什么双极性晶体管比mos管速度快？

mosfet是绝缘栅场效应管，它与双极性晶体管相比较，有无以伦比的优势。首先它是电压控制器件，输入电流极小，输入阻抗很大，这对于放大电路的设计是非常有利的。

现在它的速度巳经与双极性晶体管差不多了，功耗很小，工作速度又差不多，所以它的发展比双极性晶体管快。

十、二极管是双极型晶体管？

是！两个极结p一N引出二个管脚的晶体管，因半导体材料不同，用途不尽相同。有整流二极管，稳压管，发光管，光敏管，热敏管等等种类繁多，有微电小功率管，有大功率管，用途广范，大到一人多高，小到以微米计，型状各异，我们常用的手机里就有无数个二报管。