n型硅和p型硅的区别？

一、n型硅和p型硅的区别？

P型和N型单晶硅片的区别主要有以下三点：

1、导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。

2、掺杂的东西不同：单晶硅中掺磷是N型，单晶硅中掺硼为P型。

3、性能不同：N型掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低。P型掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。

二、p型硅和n型硅怎么来的？

n型硅材料是在4价硅材料里加入少量的5价元素做为“杂质”获得的半导体硅材料，又叫电子型半导体材料。p型硅材料是在4价硅材料里加入少量3价元素做为“杂质”而获得的半导体材料，又叫空穴型半导体硅材料。前者用于制造pnp型晶体管件，后者用于制造npn型晶体管件。

三、n型单晶硅和p型硅片区别？

P型和N型单晶硅片的区别主要有以下三点：

1、导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。

2、掺杂的东西不同：单晶硅中掺磷是N型，单晶硅中掺硼为P型。

3、性能不同：N型掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低。P型掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。

扩展资料

1、单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。

2、单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。

3、单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构成和生产工艺已定型，产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求99.999%。

四、单边n+p硅二极管

单边n+p硅二极管的基本原理和应用

单边n+p硅二极管是一种常见的电子元件，它在电子行业中扮演着重要的角色。本篇文章将详细介绍单边n+p硅二极管的基本原理、应用领域以及注意事项。 一、基本原理 单边n+p硅二极管是由一个p型半导体和n型半导体组成的一种半导体器件。其中，p型半导体一侧接正电压，n型半导体一侧接负电压。当电流通过二极管的PN结时，由于PN结的单向导电性，会形成一个内建电场，这个电场会阻止电流通过二极管。当正向偏置电压足够时，电流可以通过PN结流动，这被称为正向导通。当反向偏置电压足够大时，PN结会被击穿，形成短路。 二、应用领域 1. 开关电路：单边n+p硅二极管在开关电路中扮演着重要的角色。它可以通过控制电流的方向来实现电路的通断。 2. 稳压电路：单边n+p硅二极管可以用于稳压电路中，通过调节电流的大小来稳定电压。 3. 限幅电路：单边n+p硅二极管可以用于限幅电路中，保护其他电路免受过大的电压或电流的损害。 三、注意事项 1. 确保正确的极性和电压：在使用单边n+p硅二极管时，必须确保正确的极性和电压，否则可能会损坏二极管或导致安全问题。 2. 注意环境温度：二极管的工作温度会影响其性能和寿命，因此需要选择适合工作环境温度的二极管。 3. 避免反向连接：单边n+p硅二极管在安装时必须避免反向连接，否则可能会造成短路或损坏其他电子元件。 综上所述，单边n+p硅二极管在电子行业中具有广泛的应用，了解其基本原理、注意事项以及应用领域对于电子工程师来说非常重要。希望本文能对您有所帮助，如果您有更多问题，请随时联系我们。

五、N型硅材料整流二极管用( )表示？

2Cp,2cz,2cw都是N型材料二极管，2A代表锗材料N型，2B代表锗材料P型；2C代表硅材料N型，2D代表硅材料P型！

六、颗粒硅能不能做n型硅？

颗粒硅可以用于制作n型硅。根据搜索结果，颗粒硅的工艺简洁，技术在不断迭代，调氢等问题通过工艺解决。目前的颗粒硅基本可以用于生产N型硅片。颗粒硅在N型料的实验中，能够满足N型料的纯度要求。

颗粒硅是一种新的技术路线，与传统的改良西门子法多晶硅相比，颗粒硅具有更低的生产成本和更高的品质。颗粒硅生产成本有望在28元/公斤左右（1.2万/吨工业硅价格，包头和乐山电价），对比棒状硅降低20%以上。中长期看，颗粒硅（坩埚填的更满、单产提升）+CCZ（连续直拉单晶），有望进一步降本升效，在硅料、硅片两大环节有望综合降本20%-30%。

颗粒硅在N型硅片的应用也已经开始，例如大全、永祥等公司可以采用西门子法生产N型硅料，大全已经实现N型料的批量销售，永祥90%以上的料都可以供N型。

然而，需要注意的是，颗粒硅的生产技术还在不断迭代和完善中，其在N型硅片生产中的应用还需要进一步的实验和验证。

七、什么是N型硅棒？

N型硅也就是在超高纯度的单晶硅中,掺入少量氮、磷等元素形成的一种杂质半导体,也叫N型半导体,它使得半导体的导电能力有所加强,而且这种导电能力可以人为控制,是一种现代半导体产业的基础之一.

半导体元素硅，在元素周期表中属于族元素，其原子的最外层电子数有个，这是一种比较稳定的元素，如果掺入Ⅲ族硼元素，因为硼原子最外层只有三个电子，它比硅原子外层少一个电子，在硅原子中掺杂硼原子后，在硅原子晶格中产生空穴，这种被掺杂的硅叫P型半导体。

八、n型硅形成什么沟道？

大家都在问

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为 N 沟道与 P 沟道两大类， P 沟道硅 MOS 场效应晶体管在 N 型硅衬底上有两个 P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极 上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的 N 型硅表面呈现 P 型反型层，成为连接源极和 漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种 MOS 场效 应晶体管称为 P 沟道增强型场效应晶体管。如果 N 型硅衬底表面不加栅压就已存在 P 型反 型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的 MOS 场效应晶体管称为 P 沟道耗尽型场效应晶体管。统称为 PMOS 晶体管。 P 沟道 MOS 晶体管的空穴迁移率低,因而在 MOS 晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相 等的情况下，PMOS 晶体管的跨导小于 N 沟道 MOS 晶体管。此外，P 沟道 MOS 晶体管阈值 电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极 型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS 因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨 导小，所以工作速度更低，在 NMOS 电路(见 N 沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之 后，多数已为 NMOS 电路所取代。只是,因 PMOS 电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小 规模数字控制电路仍采用 PMOS 电路技术。PMOS 的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适 合用于源极接 VCC 时的情况（高端驱动） 。但是，虽然 PMOS 可以很方便地用作高端驱动， 但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用 NMOS。 正常工作时，P 沟道增强型 MOS 管的衬底必须与源极相连，而漏心极的电压 Vds 应为 负值，以保证两个 P 区与衬底之间的 PN 结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电 沟道，栅极对源极的电压 Vgs 也应为负。 导电沟道的形成（Ｖds＝０） 当 Vds=0 时，在栅源之间加负电压 Vgs，由于绝缘层的存在，故没有电流，但是金属栅 极被补充电而聚集负电荷， Ｎ型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动， 表面留 下带正电的离子，形成耗尽层，随着Ｇ、Ｓ间负电压的增加，耗尽层加宽，当 Vgs 增大 到一定值时，衬底中的空穴（少子）被栅极中的负电荷吸引到表面，在耗尽层和绝缘层 之间形成一个Ｐ型薄层，称反型层，这个反型层就构成漏源之间的导电沟道，这时的Ｖ gs 称为开启电压 Vgs（th） ，Vgs 到 Vgs（th）后再增加，衬底表面感应的空穴越多，反 型层加宽，而耗尽层的宽度却不再变化，这样我们可以用 Vgs 的大小控制导电沟道的宽 度。

九、二极管如何分辨是P型还是N型？

制造二极管时，通常不会用两块相同大小的P型半导体和N型半导体结合形成PN结，而是通常用其中一种半导体作基底，例如一块N型半导体，在其中一端渗透一点三价元素，得到很小一块P型半导体区域，这样的二极管就是N型二极管；或者用一块P型半导体，在其中渗透一点五价元素得到PN结，这样的二极管就是P型二极管。

总之，二极管用P型材料制作就是P型二极管，用N型材料制作就是N型二极管，上面的PN结是在作为基底的P型或N型半导体扩散上去的。举个例子，N型点接触二极管是这样做的：用一块N型半导体，正级使用一根铝线与半导体接触，这样就有少量的铝扩散到半导体里，形成PN结，得到一个二极管，整个二极管就是一块N型半导体加一个PN结，没有P型半导体（或者小到可以忽略）。

十、二极管常用的硅管是什么型？

二极管的类型

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。

面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。

平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

二极管种类很多,都有单向导电性能,不能说相互之间都可代替,只有符合开关二极管频率特性和开关损耗小的高频二极管才能代替开关二极管,具体运用时要仔细对照参数比较替用,所列举的二极管中,只有部分检波二极管能代替