mos管栅极串联电阻作用？

一、mos管栅极串联电阻作用？

MOS管栅极上串个小电阻的主要作用是: 改变管子栅极输入控制脉冲的前后沿陡度,以及防止寄生电容和电感形成的振荡, 减小输出电压尖峰,从而防止MOS管被烧坏。

简单的说MOS管的闸极有杂散电容有引线电感走线电感输入阻抗又高Q值大容易谐振,因此加个电阻或磁珠降低Q值让它不容易振荡。

二、mos管栅极电阻多大阻值？

几百兆

场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件

从mos器件的工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论：

1) MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。

2) MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。

三、mos管栅极电阻选取方法？

1、栅极电阻阻值的确定　　

各种不同的考虑下，栅极电阻的选取会有很大的差异。

初试可如下选取：IGBT额定电流(A)5010020030060080010001500Rg阻值范围(Ω)10~205.6~103.9~7.53~5.61.6~31.3~2.21~20.8~1.5不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求，可在其参数手册的推荐值附近调试。

2、栅极电阻功率的确定　　

栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定，一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。IGBT栅极驱动功率 P＝FUQ，其中：F 为工作频率；U 为驱动输出电压的峰峰值；Q 为栅极电荷，可参考IGBT模块参数手册。例如，常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V，负电压-9V，则U=24V，假设 F=10KHz，Q=2.8uC可计算出 P=0.67w ，栅极电阻应选取2W电阻，或2个1W电阻并联。

四、mos管栅极加稳压二极管

mos管栅极加稳压二极管的应用

栅极驱动电压通过电源控制和防止异常放大可以获得较好的静态特性，这一点与其他形式的稳定电路很相似。在实际使用中，二极管需要限制浪涌电流、ESD电流，并在静态开启时的泄放元件和绝缘方面发挥其独特作用。虽然半导体集成电路已有较高的可靠性和质量保证能力，但是由外电路和元件本身所造成的故障仍不少见。栅极电阻的选择应该能够抑制噪声，并且二极管与MOS管之间应该有足够的绝缘电阻，同时保证良好的电气性能。

MOS管栅极加稳压二极管的使用原理在于其具备过压保护功能。当电源电压过高时，MOS管由于PN结压差过大而导通，从而保护了主电路不受损坏。这种过压保护功能对于一些需要承受不同电压的电路板来说是非常实用的。此外，稳压二极管的并联还可以提高电路的稳定度，避免因负载电流的变化而引起的电压波动。

在某些应用中，MOS管栅极加稳压二极管还可以起到滤波作用。当电源电路中的干扰信号通过MOS管时，稳压二极管的阻容作用可以有效地抑制干扰信号的幅度，从而提高了电源电路的纯净度。

综上所述，MOS管栅极加稳压二极管在电路保护、过压保护、滤波等方面都具有重要的作用。在实际应用中，需要根据具体电路和环境条件选择合适的稳压二极管类型和参数，并进行相应的安装和连接。

注意

使用MOS管栅极加稳压二极管时，需要注意以下几点：

• 选择合适类型和参数的稳压二极管，确保其能够适应电路的工作条件。
• 安装稳压二极管时，需要注意其极性，避免损坏电路或造成安全隐患。
• MOS管和稳压二极管之间的连接需要保证良好的绝缘和电气性能，避免短路等故障。
• 对于电源电路的干扰抑制，除了使用MOS管栅极加稳压二极管外，还可以考虑其他滤波、屏蔽等措施。

五、MOS管G极的电阻和二极管有什么用处?

应该是泄放电路。就是需要关断时，迅速泄放掉G极的电荷，进而迅速关断MOSFET。

六、mos管栅极反并二极管为了加速关断，为什么不需要加速开通呢？

英飞凌工程师解答：

通常，MOS管的驱动电路如下图所示。

Rgon的作用是调节开通速度，MOS管的开通速度要综合考虑开关损耗和电路振荡以及电磁兼容，小的Rgon可以减小开关损耗，但可能带来电路振荡和电磁兼容的问题，因此，这个值要折中考虑。二极管的引入是将开通驱动电阻和关断驱动电阻分开。这样做有几点考虑，首先，MOSFET的关断延迟时间通常比开通延迟时间长，因此可以选择更小的关断电阻Rgoff，使关断速度更快，减小损耗。其次，对于关断，如果采用相对大的Rgon作为驱动电阻，会存在寄生导通的风险。寄生导通的原理，如下图所示。

在MOSFET关断的过程中，高dVds/dt在寄生米勒电容Cgd中产生位移电流I。位移电流通过栅极电阻Rg产生一个加在MOSFET栅极的电压，如果这个电压过高，超过MOSFET的阈值电压，会导致MOSFET发生寄生导通。计算公式如下(假设Cgs阻抗远大于Rg)。

其中一种减小寄生导通的手段就是适当减小栅极电阻，即用二极管给关断匹配一个相对小的关断驱动电阻。

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七、mos管栅极是多晶吗？

mos管栅极是多晶的，半导体工业初期，金属铝被普遍用作MOS的首选栅材料。但后来多晶硅被认为是首选的栅材。下面讨论了两个主要原因是这种多晶硅转变的背后。

早期的MOS制备过程始于源区和漏区的定义和掺杂。然后，采用栅罩来定义栅氧化区，从而形成铝金属门。

八、mos管栅极开启电压多少？

mos管栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3.3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。

那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。

MOS管驱动方法 MOS管是电压驱动型的器件,和三极管是不同的,只有栅极(G)电压大于门极开启电压(Vgs)才可以导通

九、mos管栅极电压表示？

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。 MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。

阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。

如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。

十、与MOS管栅极并联的电阻稳压管起什么作用？

因为MOS管栅极与漏极和源极之间的绝缘电阻很高，绝缘层很薄，栅极很容易积累电荷把绝缘层击穿而损坏MOS管，在使用过程中如果有较高电压加到栅极也要击穿绝缘层而损坏MOS管，所以要在MOS管栅极并联稳压管以限制栅极电压在稳压管稳压值以下，保护MOS管栅极不被击穿。

MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷，不让电荷积累。总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。