一、碳基芯片原理？
碳基芯片是利用单个碳纳米管或者碳纳米管阵列作为沟道材料，它允许电子从源极流到漏极。源极和漏极也不再掺杂硅，而是改用特殊的金属，利用金属与碳纳米管之间的结电压来制作晶体管。
二、碳基芯片和硅基芯片差别？
1、材质不同，可以简单的理解为，一个是用碳制造的芯片，一个是用硅制造的芯片，材料本质上完全不同;
2、能效不同，和硅晶体管相比较，使用碳基半导体制造芯片，优势很大，在速度上，碳晶体管的理论极限运行速度是硅晶体管的5-10倍，而功耗方面，却只是后者的十分之一。
3、制造工艺不同，一个需要光刻机，一个不需要
三、硅基芯片与碳基芯片区别？
两者用途不同：
硅基芯片，也就是我们现在手机上使用的芯片是当今世界芯片的主流产品，像华为的麒麟9000和苹果的A14芯片，采用的都是硅基芯片，并且这两款芯片在硅基芯片领域是工艺最高的两款，制作难度非常大。
碳组成的芯片也叫碳基芯片,相对于硅基芯片,这种类型的芯片有着很多优势,碳纳米芯片的电子特性比硅更加吸引人,电子在碳晶体内比在硅晶体内更容易移动,因此能有更快的传输数率。
四、碳基芯片为何取代不了硅基芯片？
因为碳基芯片的方向没有问题。但需要注意的是，国内对碳基芯片的研究太过于超前，就算真的生产出了成品芯片，也不会得到市场的认可，因为其它国家都没有掌握相关技术。
所以说，碳基芯片无法取代硅基芯片不是因为存在什么缺陷，而是因为整个芯片行业不愿意看到国内一家独大的局面。要想真正改变现有的格局，必须等到全世界的碳基芯片技术成熟，到时候硅基芯片才会被慢慢淘汰。
五、碳基芯片比硅基芯片强多少？
传统的硅基芯片的极限是1纳米，而碳基芯片可以做到1纳米以内，这对性能的提升有巨大帮助；理论上，同样制程的碳基芯片的运行速度是传统硅基芯片的10倍，即用20纳米制程制作的碳基芯片性能相当于2纳米制程制作的硅基芯片，并且碳基芯片相比功耗也降低了十分之一。
六、3纳米芯片是硅基芯片还是碳基芯片？
是硅基芯片，硅是芯片的材料，如果还用硅做芯片，3纳米很有可能是极限了。除了硅以外，碳基芯片有可能突破三纳米的限制，但目前这只是一个猜想。
芯片的纳米技术指的是采用纳米技术，让芯片缩小制程，从而在更小的芯片中塞入更多的电晶体，以此增加处理器的运算效率。纳米技术可以减小芯片体积，也有助于降低耗电量，满足轻薄化的需求。
七、碳基芯片深度分析？
碳基芯片是利用单个碳纳米管或者碳纳米管阵列作为沟道材料，它允许电子从源极流到漏极。源极和漏极也不再掺杂硅，而是改用特殊的金属，利用金属与碳纳米管之间的结电压来制作晶体管。
比如N型碳晶体管使用活性金属钪或钇来作为漏极，P型碳晶体管使用惰性金属钯作为源极。
八、什么是碳基芯片？
碳组成的芯片也叫碳基芯片，相对于硅基芯片，这种类型的芯片有着很多优势，碳纳米芯片的电子特性比硅更加吸引人，电子在碳晶体内比在硅晶体内更容易移动，因此能有更快的传输数率。
碳基半导体具有成本更低、功耗更小、效率更高的优势，中国的的碳基半导体研究是代表世界领先水平的，与国外硅基技术制造出来的芯片相比，中国碳基技术制造出来的芯片在处理大数据时不仅速度更快，而且至少节约30%的功耗。
九、碳基芯片制造方法？
步骤一，将刻蚀好的FTO导电玻璃基底依次置于含有清洗剂的水溶液、丙酮、酒精、超纯水中各超声20min，然后用热吹风枪吹干保存备用；
步骤二，将步骤一处理后的FTO导电玻璃基底放于450℃高温热台，使用喷雾器将致密层前驱液喷涂于FTO导电玻璃基底的导电面，形成TiO2致密层；待其冷却后，使用丝网印刷套件将TiO2浆料印刷在TiO2致密层之上，70℃烘干，然后马弗炉500℃烧结30min，形成介孔TiO2光阳极；
步骤三，在介孔TiO2光阳极的结构层上继续印刷一层ZrO2间隔层，70℃烘干，然后使用马弗炉500℃烧结30min，冷却至室温备用；
步骤四，在介孔ZrO2间隔层上两次使用碳浆料印刷，70℃烘干，然后使用马弗炉400℃烧结碳膜30min，冷却至室温备用。
十、碳基芯片何时量产？
2022年下半年量产。
缺芯成为科技界的一大难题，碳基芯片是一种在碳纳米管、石墨烯等材料上发展的半导体技术，硅基材料在高科技领域非常重要。氮化镓在充电器快充、数据中心、新能源汽车等领域都有运用。
目前中国的氮化镓芯片跻身全球前三，碳基芯片相对于硅基芯片，具有1000倍的性能功耗综合优势，并且碳基材料、工艺和性能等方面都处于世界领先水平。